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Transistores del MOSFET

Cambie o amplifique una señal con un transistor de alta calidad del MOSFET. Diseñó cambiar conductividad en usos alto-actuales, estos transistores son conveniente para una gama de ajustes, de tecnológico y de automotor al domestic.

Si usted está buscando para transistores del MOSFET, si usted quisiera que un N-canal o un MOSFET del P-canal terminara su circuito, usted lo encontrará aquí en RS. Tenemos productos excesivos de 200 en la acción, y éstos son todos hicieron a las mayores niveles por los fabricantes confiados en.

Leído encendido para descubrir más sobre los transistores del MOSFET.

¿Cuáles son transistores del MOSFET?

Los transistores del MOSFET - transistores de óxido metálico del efecto de campo del semiconductor - son uno de los transistores más usados. Los MOSFETs se utilizan para las señales de la conmutación o el amplificar, y son voltaje-controlados. Esto es alcanzada alterando la conductividad en lo referente al nivel del voltaje se aplica que.

El presente del voltaje define cómo es conductor es el dispositivo. Cuanto más conductor el dispositivo, más alta es la cantidad de voltaje se aplicó a través del MOSFET.

La diferencia entre el FET y BJT

Hay dos tipos comunes de transistores: el transistor de ensambladura bipolar (BJT) y el transistor del efecto de campo (FET). La diferencia principal entre BJT y el FET es que solamente la carga de la mayoría lleva flujo en un FET, mientras que en BJT, los portadores de la carga de la mayoría y de la minoría fluyen.

Además, BJTs es controlado actual y los FETs son voltaje controlado. Esto significa que BJTs está encontrado lo más a menudo posible en las corrientes eléctricas que tienen hasta un amperio, mientras que los FETs se utilizan para usos más robustos. Los transistores del MOSFET son un tipo de FET, y se utilizan en los usos que tienen una corriente más alta.

¿Cómo los transistores del MOSFET funcionan?

Un transistor del MOSFET tiene cuatro terminales: la fuente, la puerta, el dren y el cuerpo. En muchos casos, el terminal del cuerpo está conectado con la fuente, llevando el número de terminales abajo tres. Los terminales controlan el flujo de la corriente eléctrica entre la fuente y el dren.

La anchura del canal es controlada por el voltaje en el terminal de la puerta. Esto está situada entre la fuente y el dren. Cómo las funciones del transistor del MOSFET dependen de cómo la variación eléctrica ocurre en la anchura del canal y el flujo de los portadores. La carga entra a través de la fuente y de las salidas vía el dren.

Diversos tipos de transistores del MOSFET

Hay diversos tipos de transistor del MOSFET. En términos de su modo operacional, hay dos tipos: realce y agotamiento. Hay otras variaciones dentro de estos dos tipos.

  • Modo del realce

No hay conducción en el voltaje cero al usar modo del realce. Esto significa que el transistor es cerrado o determinado a "OFF" pues no hay canal. Esto cambia entonces el voltaje de la puerta se aumenta sobre el voltaje de la fuente. Aquí, los portadores de la carga, que se conocen como agujeros, se mueven, saliendo de los electrones y de un canal más ancho.

El voltaje de la puerta se mueve con la corriente, para el voltaje de la puerta aumenta, la corriente aumenta y el revés es también el caso.

  • Modo de agotamiento

Aquí, el canal se forma ya y la conducción ocurre incluso en el voltaje cero. Desemejante de modo del realce, está abierto - o "ON" - por defecto. El canal aquí se drena de los portadores de la carga y éste reduce la anchura del canal.

Mientras que el voltaje de la puerta es directamente proporcional a la corriente en modo del realce, aquí el contrario es el caso. El voltaje de la puerta aumenta como las disminuciones actuales y viceversa.

Dentro de estas dos categorías, hay también MOSFETs del N-canal y MOSFETs del P-canal:

  • MOSFETs del N-canal

Este MOSFET tiene una región del N-canal entre la fuente y el dren. El dren y la fuente son región pesadamente dopada de n+, mientras que el cuerpo es tipo del p.

  • MOSFETs del P-canal

El MOSFET del canal del p tiene una región del canal del p entre la fuente y los terminales del dren. El dren y la fuente son región pesadamente dopada de p+ y el cuerpo es tipo de la n. El flujo de la corriente se mueve en la dirección de agujeros positivamente cargados.

MOSFETs de la energía

Vale el observar del MOSFET de la energía. Esto se precisa en una composición vertical y se diseña para permitir que el transistor entregue simultáneamente voltaje de bloqueo del colmo y de gran intensidad.

¿Dónde pueden los MOSFETs ser utilizados?

Los transistores del MOSFET se utilizan para cambiar o para amplificar señales eléctricas. Por lo tanto, son más adecuados a los circuitos digitales, tales como virutas de memoria o microprocesadores. También se encuentran en las calculadoras, relojes digitales e interruptores análogos, así como la industria del automóvil en convertidores de energía en vehículos eléctricos.

Donde comprar transistores del MOSFET

Si usted necesita un reemplazo del transistor del MOSFET o usted esté creando un circuito del MOSFET y necesite el transistor derecho para la tarea, elija RS. Usted encontrará que somos haber autorizado, distribuidor América-basada norte de los transistores del MOSFET, junto con otros tipos de transistores, y trabajamos con nombres principales en la industria, incluyendo Siliconix/Vishay, los diodos inc., e Infineon. Orgulloso le traemos una gama de los productos de alta calidad que resuelven las mayores niveles.

Si usted tiene cualesquiera preguntas, estamos en la mano a ayudar. Get en touch con el equipo hoy. Usted puede también encontrar consejo y extremidades en nuestro expert hub contento.

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Error que pone al día el carro
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Infineon IRFU5305PBF
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Infineon IRFZ44VPBF
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Error que pone al día el carro
Disponible en Estados Unidos
Precio
Tipo de canal
Drene la corriente
Drene al voltaje de la fuente
Puerta al voltaje de la fuente
Drene a la fuente en resistencia
Dé vuelta apagado retrasa Tiempo
Dé vuelta encendido retrasa Tiempo
Tipo del montaje
Tipo del paquete
Número de pernos
Carga típica @ Vgs de la puerta
Serie
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N
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12 ns
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P
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-100 V
20 V
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100 V
20 V
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TO-220AB
3
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HEXFET Series
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N
110 Amp
55 V
20 V
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N
29 Amp
55 V
20 V
0.04 Ohms
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7 ns
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TO-220AB
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N
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60 V
20 V
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3
Maximum of 60 nC @ 10 V
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N
53 Amp
55 V
20 V
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14 ns
Through Hole
TO-220AB
3
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N
10 Amp
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4 ns
Through Hole
TO-220AB
3
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+100 $1.177 /ea
N
30 A
55 V
16 V
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8.9 ns
Through Hole
TO-220AB
3
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+5 $1.287 /ea
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+100 $1.122 /ea
N
47 Amp
55 V
16 V
0.035 Ohms
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11 ns
Through Hole
TO-220AB
3
Maximum of 48 nC @ 5 V
HEXFET Series
En stock: 18
+1 $1.133 /ea
+10 $1.078 /ea
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+100 $0.968 /ea
P
-31 Amp
-55 V
20 V
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14 ns
Through Hole
I-PAK
3
63 nC @ -10 V
HEXFET Series
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+1 $1.529 /ea
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N
55 Amp
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13 ns
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TO-220AB
3
Maximum of 67 nC @ 10 V
HEXFET Series
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